RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3252
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link