RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2974
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link