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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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