Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs INTENSO 5641162 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
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INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 24
    Por volta de -4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 16
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 11.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 2799
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RAM 1
RAM 2

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