Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs INTENSO 5641162 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 24
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 16
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 16.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 11.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2925 left arrow 2799
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti