RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link