RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link