RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905663-006.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link