RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link