RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905701-022.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link