RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
122
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
122
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1411
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link