RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
22.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3792
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link