RAM-Vergleich Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Gesamtnote

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 29

Rund um 21% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

22.8 13.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

16.9 8.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2269 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns