Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 29

Wokół strony 21% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

22.8 13.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.9 8.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2269 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns