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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
22.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3792
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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