Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

総合得点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

49 122

周辺 60% 低遅延

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

9.4 4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

5.8 2,066.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

49 122
読み出し速度、GB/s

4,577.1 9.4
書き込み速度、GB/秒

2,066.5 5.8
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

737 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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