Confronto tra le RAM Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

49 122

Intorno 60% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

9.4 4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

5.8 2,066.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

737 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns