RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
19200
Por volta de 1.22 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
23400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link