RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905702-184.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link