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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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