RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965589-030.D01G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link