RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link