RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965596-016.B01G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link