RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link