RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link