RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
58
Por volta de 59% menor latência
Razões a considerar
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
58
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link