RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
58
Por volta de 59% menor latência
Razões a considerar
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
58
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link