RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
49
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2534
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link