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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
49
周辺 51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
49
読み出し速度、GB/s
16.0
15.8
書き込み速度、GB/秒
12.5
11.0
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2534
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