RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link