RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link