RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2193
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link