RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2193
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link