RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2984
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link