RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2979
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link