RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2979
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link