RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2185
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link