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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2920
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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