RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2920
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link