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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2073
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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