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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.2
13.8
写入速度,GB/s
8.6
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2073
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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