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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965662-010.A00G 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
11.0
写入速度,GB/s
10.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2328
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
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