RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2073
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link