Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

65 71

Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

3 15.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

6.4 1,574.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

607 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns