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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
71
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
1650
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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