Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

65 71

En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 15.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

6.4 1,574.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 5300

En 4.02 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

607 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns