RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1897
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link