RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link