RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link