Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

18 24

Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.4 16

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

17.2 12.5

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns