RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link