RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
52
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2390
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link